Холдинг «Швабе» Госкорпорации Ростех запатентовал усовершенствованную конструкцию планарного многоплощадочного кремниевого фотодиода, функционирующего в приборе в режиме датчика. Она обеспечивает повышение стабильности работы как на уровне каждой рабочей площадки фотоприемника, так и устройства в целом.
Оригинальная конструкция планарного многоплощадочного кремниевого фотодиода была разработана сотрудниками предприятия Холдинга - АО «Швабе-Фотосистемы». Данное устройство играет роль датчика в сканирующей системе отображения рельефа местности при низком уровне освещенности. Подобные сканеры устанавливаются на различные летательные и космические аппараты.
«Модернизация конструкции позволила нам существенно улучшить работу фотодиода. Мы уменьшили уровень темнового тока в устройстве, как в нормальных условиях, так и при повышенных температурах. Помимо этого нам удалось снизить неравномерность этих параметров по различным площадкам изделия. В результате возрос показатель стабильности работы фотодиода в целом», - рассказал генеральный директор ОАО «Швабе-Фотосистемы» Анатолий Филачев.
Планарный многоплощадочный кремниевый фотодиод относится к полупроводниковым приборам, чувствительным в видимой и ближней инфракрасной области спектра (0,4-1,2 мкм). Отличительной особенностью новинки является единое охранное кольцо между отдельными рабочими площадками фотоприемного устройства. Данный компонент в изделии препятствует носителям заряда, генерированным на периферии кристалла, достигать границы полупроводниковых областей фотоприемника и увеличивать темновой ток (прим.: ток, проходящий через фотоэлемент в отсутствии облучения).