Предприятие Холдинга «Швабе» получило патент на полупроводниковый излучатель. Данное изделие на 10% превосходит существующие аналоги по выходным мощностным характеристикам и на 30% - по ресурсу работы.
Устройство, разработанное специалистами предприятия Холдинга «Швабе» - Научно-исследовательского института «Полюс» (НИИ «Полюс»), относится к области полупроводниковой квантовой электроники и применяется при изготовлении различной лазерной техники. Особенностями новинки НИИ «Полюс» является то, что все части пассивной секции полупроводникового излучателя имеют изоляционное покрытие, а каждая диодная линейка изделия является лазерной или суперлюминесцентной.
«Изменение конструкции устройства позволило нам при неизменности пространственных показателей излучения увеличить на 10 % выходные мощностные характеристики и на 30 % ресурс работы по сравнению с существующими аналогами. Помимо этого нам удалось повысить электростабильность и надежность работы изделия», - рассказал генеральный директор Научно-исследовательского института «Полюс» Евгений Кузнецов.
Запуск нового полупроводникового излучателя НИИ «Полюс» в серийное производство запланирован в 2018 году.
НИИ «Полюс» является крупнейшим в России научно-производственным центром в области квантовой электроники и лазерной технологии, обладающим многими уникальными базовыми технологиями, в том числе выращиванием высокотемпературных активных и нелинейных лазерных кристаллов; формированием многослойных (до 1000 квантово-размерных слоев) структур соединений А3В5 для полупроводниковых гетеролазеров и фотоприемников методом газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений и гидридов; формированием многослойных диэлектрических покрытий методом ионно-лучевого испарения.